Автор: Р.Н. Шульга, к.т.н. ВЭИ–Филиал ФГУП «РФЯЦ-ВНИИТФ»
Author: R.N. Shulga, ph. d., VEI-Branch of RFNC–VNIITF
Ключевые слова: рынок; силовая электроника; полевой МОП-транзистор; IGBT-прибор; SiC-прибор; GaN-прибор.
Key words: market; power electronics; MOSFET; IGBT device; SiC device; GaN device.
Аннотация: Выполнен анализ динамики и тенденций развития рынка силовой электроники (СЭ) за последние 20 лет и в ближайшей перспективе. Отмечено, что наиболее растущими направлениями рынка СЭ являются электроприводы, источники питания и зарядные устройства, а также электромобили и центры обработки данных. Главными направлениями развития на основе кремния остаются полевые МОП-транзисторы и IGBT-приборы, занимающие 23% рынка. Перспективные технологии на основе SiC и GaN в последние пять лет стали использоваться в промышленном производстве, становясь приоритетными для радиолокации, лидаров, беспилотного транспорта.
Abstract: The analysis of the dynamics and trends of the power electronics (SE) market over the past 20 years and in the near future is performed. It is noted that the most growing areas of the SE market are electric drives, power supplies and chargers, as well as electric vehicles and data centers. The main areas of development based on silicon remain MOSFET field-effect transistors and IGBT devices, which occupy 23 % of the market. Promising technologies based on SiC and GaN over the past 5 years are coming to an industrial basis, becoming a priority for radar, lidar, and unmanned vehicles.
